Диоды Ганна миллиметрового диапазона (30–150 ГГц) малой и средней мощности (< 100 мВт)

Диоды полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах миллиметрового диапазона длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).

Общие сведения о диодах

Тип диода Тип корпуса Масса, г, не более Полярность
3А718Г — И* КД-107 0,1
3А720А* КД-107 0,1
3А727А — Г* КД-107 0,1
3А728А — Д, А1 — Д1, П* КД-107 0,1
3А737Г — Ж, К КД-130 0,1
3А738А — П КД-130 0,1
3А740А — Ж КД-131 0,05
3А741А — Е КД-131 0,05
3А744Б-6* ФЫ3.362.030 ГЧ 0,1
3А744Б-5* ФЫ3.362.045 ГЧ 0,1
3А744Б1-6* ФЫ3.362.044 ГЧ 0,1
3А747А — Ж КД-130 0,05
3А763Е — М КД-130 0,1
3А764А, Б КД-107 0,1
АА768А — Е КД-130 0,1 +

* — осуществляется выпуск и поставка соответствующих изделий общепромышленного назначения: АА718А, АА720А, АА727А… Изделия АА718А и 3А718А, АА718Б и 3А718Б и т. д. имеют идентичные электрические характеристики и условия измерения этих характеристик. По заказу потребителя возможна поставка изделий с индексом «ОСМ» и «Н»

« – » — катодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода

« + » — анодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода

Электрические параметры и характеристики

при Т = (25 ± 10) °С

Условные обозначения:

Δf — рабочий диапазон частот, ГГц
Pвых — выходная непрерывная мощность в рабочем диапазоне частот, мВт
Ip — постоянный рабочий ток, А

Up

— постоянное рабочее напряжение, В

Тип диода Δf Pвых Ip Up
мин тип макс тип
3А720А 25,86 — 39,6 10 15 1,3 0,7 3,0 — 4,0
3А744Б-6 25,95 — 37,56 25 35 1,5 1,1 2,5 — 4,5
3А744Б-5 1,25 1,1 2,5 — 5,0
3А744Б1-6
3А764А 25,95 — 37,50 75 90 1,45 1,2 2,5 — 5,5
3А764Б 50 60
3А728Г, Г1 25,86 — 37,5 25 35 1,5 1,0 3,0 — 4,5
3А728А, А1 25,86 — 29,30 50 60
3А728Б, Б1 29,0 — 33,33
3А728В, В1 33,0 — 37,5

Тип диода Δf Pвых Ip Up
мин тип макс тип
3А718Г 26,0 — 29,2 25 45 1,0 0,6 4,0
3А718Д 29,0 — 32,2
3А718Е 32,0 — 35,2 1,2 0,8
3А718Ж 35,0 — 37,5
3А718И 37,3 — 40,25
АА768А 33,0 — 42,0 5 5 0,07 0,055 3,0 — 4,5
АА768Б< 7 7 0,13 0,105
АА768В 10 10 0,18 0,155
АА768Г 15 18,5 0,24 0,21
3А728Д 36,0 — 37,0 15 25 0,5 0,38 3,0 — 4,0
3А728Д1 25 30 0,65 0,56
3А728П 50 60 1,0 0,9 3,4 — 4,5
АА768Д 42,0 — 55,0 3 4,25 0,13 0,11 2,5 — 3,5
АА768Е 5 7 0,18 0,15
3А737Г* 42,0 — 44,5 75 90 2,0 1,1 2,5 — 3,8
3А737Д* 44,5 — 47,0
3А737Е* 47,0 — 50,0 50 75
3А737Ж* 50,0 — 52,6
3А737К* 37,5 — 53,57 25 50 2,5 — 4,2
3А727А 37,5 — 42,0 75 100 1,7 1,1 3,0 — 4,0
3А727Б 50 75 1,5 0,7 3,0 — 4,0
3А727В 42,0 — 47,0 0,8 2,5 — 3,5
3А727Г 47,0 — 53,57 25** 50 0,9 2,4 — 3,1
3А763Е 50,0 — 52,6 60 75 1,3 1,1 3,0 — 6,0
3А763Ж 52,6 — 56,0
3А763И 56,0 — 60,0 40 60
3А763К 60,0 — 70,0 30 50
3А763Л 70,0 — 78,0 25 40
3А763М 37,5 — 53,57 1,5
3А738А* 52,6 — 54,0 60 70 1,6 0,9 2,0 — 6,0
3А738Б* 54,0 — 56,0
3А738В* 56,0 — 58,0
3А738Г* 58,0 — 60,0
3А738Д* 60,0 — 62,0 30 40
3А738Е* 62,0 — 64,0
3А738Ж* 64,0 — 66,0
3А738И* 66,0 — 68,0
3А738К* 68,0 — 70,0
3А738Л* 70,0 — 72,0 20 25
3А738М* 72,0 — 74,0
3А738Н* 74,0 — 76,0
3А738П* 76,0 — 78,3
3А740А* 78,3 — 90,0 5 6 2,0 0,7 3,0 — 5,0
<3А740Б* 78,3 — 80,0 25 27
3А740В* 80,0 — 82,0
3А740Г* 82,0 — 84,0
3А740Д* 84,0 — 86,0
3А740Е* 86,0 — 88,0
3А740Ж* 88,0 — 90,0
3А741А* 90,0 — 100,0 5 7
3А741Б* 90,0 — 92,0 10 13
3А741В* 90,0 — 92.0

Тип диода Δf Pвых Ip Up
мин тип макс тип
3А741Г* 94,0 — 96,0 10 13 2,0 0,7 3,0 — 5,0
3А741Д* 96,0 — 98,0
3А741Е* 98,0 — 100,0
3А747А* 100,0 — 110,0 5 7< 2,0 — 5,5
3А747Б* 110,0 — 120,0 <6,3
3А747В* 120,0 — 130,0 1 1,7
3А747Г* 130,0 — 140,0 1,3
3А747Д* 140,0 — 150,0 1,2
3А747Е* 100,0 — 102,0 10 13
3А747Ж* 120,0 — 122,0 5 6,3

* Гарантируемый уровень надежности согласуется с предприятием-изготовителем

** В полосе частот (52,6 — 53,57) ГГц непрерывная выходная мощность не менее 10 мВт

Технические требования

Максимальная температура корпуса диода при эксплуатации 85 °С. Допускаются изменения температуры среды от минус 60 до плюс 85 °С.

Чертежи и схемы