Диоды Ганна миллиметрового диапазона (30–150 ГГц) большой мощности (> 100 мВт)

Диоды полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах миллиметрового диапазона длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).

Общие сведения о диодах

Тип диода Тип корпуса Масса, г, не более Полярность
3А737А — В, И КД-130 0,1
3А761А, Б, В КД-107 0,1
3А763А — Д, Н КД-130 0,1

« – » — катодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода.

Электрические параметры и характеристики при Т = (25 ± 10) °С

Условные обозначения:

Δf — рабочий диапазон частот, ГГц
Pвых — выходная непрерывная мощность в рабочем диапазоне частот, мВт
Iр — постоянный рабочий ток, А
Uр — постоянное рабочее напряжение, В

Тип диода Δf Pвых Iр Uр
мин тип макс тип
3А761А 25,95 — 29,33 225 300 1,45 1,2 4,5 — 5,5
3А761Б 29,33 — 33,33 225 270 1,45 1,2 4,0 — 5,0
3А761В 33,33 — 37,50 225 250 1,45 1,2 3,5 — 5,0
3А737А* 37,0 — 38,0 150 180 2,0 1,1 3,0 — 4,2
3А737Б* 37,5 — 40,0 100 115 2,0 1,1 3,0 — 4,2

3А737В*

40,0 — 42,0 100 115 2,0 1,1 3,0 — 4,2
3А737И* 48,5 — 49,5 100 115 2,0 1,1 2,5 — 3,8
3А763А 37,0 — 38,0 200 250 1,5 1,2 3,0 — 5,0
3А763Н 37,0 – 38,0 120 170 1,3 1,1 3,0 — 6,0
3А763Б 38,0 — 40,0 150 210 1,5 1,2 3,0 — 5,0
3А763В 40,0 — 42,0 130 170 1,5 1,2 3,0 — 4,5
3А763Г 42,0 — 47,0 100 <120 1,5 1,2 3,0 — 4,5
3А763Д 47,0 — 50,0 100 120 1,5 1,2 3,0 — 4,5

* Гарантированный уровень надежности согласуется с предприятием-изготовителем

Технические требования

Максимальная температура корпуса диода при эксплуатации 85 °С. Допускается изменение температуры среды от минус 60 до плюс 85 °С.

Чертежи и схемы