Диоды Ганна сантиметрового диапазона (4–30 ГГц) большой мощности (> 100 мВт)

Диоды полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах сантиметрового диапазона длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).

Общие сведения о диодах

Тип диода Тип корпуса Масса, г, не более
3А715А – М*, Г1, Д1 КД-109 0,150
3А716А – И* КД-105 0,166
3А725А — Е* КД-109 0,150
3А726А – И* КД-109 0,150
3А746А-6 — И-6* ФЫ3.362.034 ГЧ 0,100
3А753А – П КД-109 0,150
3А754А – С КД-109 0,150
3А755А – У, Д1, Д2 КД-109 0,150
3А761А, Б КД-107 0,100

Полярность — катодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода.

* — осуществляется выпуск и поставка соответствующих изделий общепромышленного назначения: АА715А, АА716А… Изделия АА715А и 3А715А, АА715Б и 3А715Б и т. д. имеют идентичные электрические характеристики и условия измерения этих характеристик. По заказу потребителя возможна поставка изделий с индексом «ОСМ» и «Н»

Электрические параметры и характеристики
при Т = (25 ± 10) °С

Условные обозначения:

Δf — диапазон рабочих частот, ГГц
Pвых — выходная мощность, мВт
Ip — постоянный рабочий ток, А
Up — постоянное рабочее напряжение, В

Тип диода Δf Pвых Ip Up
макс тип макс тип
3А725А, АА725А 5,0 — 6,0 200 250 1,5 1,3 11
3А725Б, АА725Б 6,0 — 7,0
3А725В, АА725В 7,0 — 8,24
3А725Г, АА725Г 5,0 — 6,0 300 330 2,0 1,4
3А725Д, АА725Д 6,0 — 7,0
3А725Е, АА725Е 7,0 — 8,24
3А753А 5,64 — 5,8 100 140 0,32 0,3 11 — 15
3А753Б 5,8 — 6,0
3А753В 6,0 — 6,2
3А753Г 6,2 — 6,4
3А753Д 6,4 — 6,6
3А753Е 6,6 — 6,8
3А753Ж 6,8 — 7,0
3А753И 7,0 — 7,2
3А753К 7,2 — 7,4
3А753Л 7,4 — 7,6
3А753М 7,6 — 7,8
3А753Н 7,8 — 8,0
3А753П 8,0 — 8,24
Тип диода Δf Pвых Ip Up
макс тип макс тип
3А715А 8,0 — 9,5 100 200 1,2 1,1 9,5 — 10,5
3А715Б 200 250 1,3 1,15
3А715В, АА715В 9,0 — 10,5 100 200 1,2 1,1
3А715Г, АА715Г 9,0 — 10,5 200 250 1,3 1,15
3А715Д, АА715Д 9,0 — 10,5 300 400 1,5 1,25
3А715Г1, АА715Г1 9,0 — 9,5 280
1,5
3А715Д1, АА715ДЖ1 9,0 — 9,5 300
1,4
3А715Е, АА715Е 10,0 — 11,5 100 200 1,2 1,1 9,5 — 10,0
3А715Ж, АА715Ж 200 250 1,3 1,15
3А715И, АА715И 300 400 1,5 1,25
3А715К, АА715К 11,0 — 12,5 100 200 1,2 1,1
3А715Л, АА715Л 200 250 1,3 1,15
3А715М, АА715М 300 400 1,5 1,25
3А754А 8,24 — 8,5 100 140 0,32 0,3 8 — 13
3А754Б 8,5 — 8,7
3А754В 8,7 — 9,0
3А754Г 9,0 — 9,2
3А754Д 9,2 — 9,5
3А754Е 9,5 — 9,7
3А754Ж 9,7 — 10,0
3А754И 10,0 — 10,2
3А754К 10,2 — 10,5
3А754Л 10,5 — 10,7
3А754М 10,7 — 11,0
3А754Н 11,0 — 11,2
3А754П 11,2 — 11,5
3А754Р 11,5 — 11,8
3А754С 11,8 — 12,05
3А726А, АА726А 12,0 — 13,5 100 150 2,0 1,4 5 — 8
3А726Б, АА726Б 13,5 — 15,0
3А726В, АА726В 15,0 — 16,7
3А726Г, АА726Г 12,0 — 13,5 200 250
3А726Д, АА726Д 13,5 — 15,0
3А726Е, АА726Е 15,0 — 16,7
3А726Ж, АА726Ж 16,7 — 18,0 100 150 4 — 8
3А726И, АА726И 16,7 — 18,0 200 250
3А755А 12,05 — 12,3 100 150 0,4 0,35 7 — 11
3А755Б 12,3 — 12,6
3А755В 12,6 — 12,9
3А755Г 12,9 — 13,2
3А755Д, Д1, Д2 13,2 — 13,5
3А755Е 13,5 — 13,8
3А755Ж 13,8 — 14,1
3А755И 14,1 — 14,4
3А755К 14,4 — 14,7
3А755Л 14,7 — 15,0
3А755М 15,0 — 15,3
3А755Н 15,3 — 15,7
3А755П 15,7 — 16,0
3А755Р 16,0 — 16,4
3А755С 16,4 — 16,
3А755Т 16,7 — 17.1
3А755У 17,1 — 17,44

Тип диода Δf Pвых Ip Up
макс тип макс тип
3А746А-6, АА746А-6 12,0 — 13,5 100 150 2,0 1,5 5 — 8
3А746Б-6, АА746Б-6 13,5 — 15,0
3А746В-6, А746В-6 15,0 — 16,7
3А746Г-6, АА746Г-6 12,0 — 13,5 200 250
3А746Д-6, АА746Д-6 13,5 — 15,0
3А746Е-6, АА746Е-6 15,0 — 16,7
3А746Ж-6, АА746Ж-6 16,7 — 18,0 100 150 4 — 7
3А746И-6, АА746И-6 200 250
3А716А, АА716А 18,0 — 20,0 150 245 2,0 1,3 4,0 — 6,3
3А716Б, АА716Б 250 325 1,5
3А716В, АА716В 20,0 — 22,0 150 245 1,3
3А716Г, АА716Г 250 325 1,5
3А716Д, АА716Д 22,0 — 24,0 150 245 1,3
3А716Е, АА716Е 250 325 1,5
3А716Ж, АА716Ж 24,0 — 25,86 150 245 1,3
3А716И, АА716И 250 325 1,5
3А761А 25,95 — 29,33 225 300 1,45 1,2 4,5 — 5,5
3А761Б 29,33 — 33,33 270 4,0 — 5,0

Технические требования

Максимальная температура корпуса диода при эксплуатации 85 °С. Допускаются изменения температуры среды от минус 60 до плюс 85 °С.

Чертежи и схемы