Диоды СВЧ генераторные Ганна импульсные

Диоды полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах сантиметрового диапазона длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).

Общие сведения о диодах

Тип диода Тип корпуса Масса, г, не более Полярность
3А750А – Л, К1 КД-109 0,15 +
3А762А – Л КД-10 0,15 +

« + » — анодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода

Электрические параметры и характеристики
при Т = (25 ± 10) °С

Условные обозначения:

Δf рабочий диапазон частот, ГГц
Pвых выходная непрерывная мощность в рабочем диапазоне частот, мВт
Iр импульсный рабочий ток, А
Uр импульсное рабочее напряжение, В

Тип диода Δf Pвых Iр Uр
мин тип макс тип
3А750А 8,24 — 8,5 10000 15000 25 15 35 — 55
3А750Б 8,5 — 8,9 10000 15000 25 15 35 — 55
3А750В 8,9 — 9,3 10000 15000 25 15 35 — 55
3А750Г 9,3 — 9,7 10000 15000 25 15 35 — 55
3А750Д 9,7 — 10,1 10000 15000 25 15 35 — 55
3А750Е 10,1 — 10,5 10000 15000 25 15 30 — 50
3А750Ж 10,5 — 10,9 10000 15000 25 15 30 — 50
3А750И 10,9 — 11,3 10000 15000 25 15 30 — 50
3А750К 11,3 — 11,7 10000 15000 25 15 30 — 50
3А750Л 11,7 — 12,05 10000 15000 25 15 30 — 50
3А750К1 11,3 — 11,7 8000 14000 25 15 30 — 50
3А762А 8,24 — 8,5 25000 30000 25 15 60 — 120
3А762Б 8,5 — 8,9 25000 30000 25 15 60 — 120
3А762В 8,9 — 9,3 25000 30000 25 15 60 — 120
3А762Г 9,3 — 9,7 25000 30000 25 15 60 — 120
3А762Д 9,7 — 10,1 25000 30000 25 15 60 — 120
3А762Е< 10,1 — 10,5 25000 30000 25 15 60 — 100
3А762Ж 10,5 — 10,9 25000 30000 25 15 60 — 100
3А762И 10,9 — 11,3 25000 30000 25 15 60 — 100
3А762К 11,3 — 11,7 25000 30000 25 15 60 — 100
3А762Л 11,7 — 12,05 25000 30000 25 15 60 — 100

Технические требования

Максимальная температура корпуса диода при эксплуатации 85 °С. Допускается изменение температуры среды от минус 60 до плюс 85 °С.

Чертежи и схемы