Диоды импульсные 2Д510А/НТ, 2Д510А9/НТ,2Д510А-5/НТ и диодные матрицы 2Д510АС9/НТ

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диоды 2Д510А/НТ, 2Д510А9/НТ, 2Д510А-5/НТ и диодные матрицы 2Д510АС9/НТ предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств.

Конструктивно диоды выпускаются в металлокерамических корпусах и в бескорпусном исполнении.

Диоды 2А510А/НТ предназначены для ручной сборки (монтажа) аппаратуры, диоды 2Д510А9/НТ и диодные матрицы 2Д510АС9/НТ – для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры. Диоды 2Д510А-5/НТ, выпускаемые в бескорпусном исполнении, предназначены для работы в составе гибридных микросхем, обеспечивающих их герметизацию и защиту от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, повышенного и пониженного давления.

Тип диода, диодной матрицы Тип корпуса Масса, г, не более
2Д510А/НТ КД-3 0,3
2Д510А9/НТ КТ-99-1 0,3
2Д510А-5/НТ ЯЮКЛ.432123.002-01ГЧ 0,00012
2Д510АС9/НТ КТ-99-1 0,3

Электрические параметры и характеристики при
Т = (25 ± 10) °С

Условные обозначения:

Iобр — постоянный обратный ток при Uобр = 50 В, мкА
Uпр — постоянное прямое напряжение при Iпр = 200 мА, В
Uпр и — импульсное прямое напряжение при импульсном прямом токе Iпр и = 1,5 А, В
ΔUпр — разность постоянных прямых напряжений диодов при Iпр = 200 мА, В
tвос обр — время обратного восстановления диода в режиме переключения с Iпр = 10 мА на Uобр и = 10 В при уровне отсчета Iобр = 2 мА, нс
Qвос — заряд восстановления диода в режиме переключения с Iпр = 50 мА на Uобр и = 10 В, пКл
Cд — общая емкость при нулевом смещения, пФ
rд — дифференциальное сопротивление диода в открытом состоянии при Iпр = 100 мА, Ом
RΘ — тепловое сопротивление переход–корпус диода, °С/Вт

Тип диода Iобр Uпр Uпр и tвос обр Qвос Cд rд RΘ ΔUпр
2Д510А/НТ, 2Д510А9/НТ, 2Д510А-5/НТ, 2Д510АС9/НТ ≤5,0 ≤1,1 ≤5,0 ≤4,0 ≤400,0 ≤4,0 ≤5,0 ≤200,0 ≤0,05*

* — Параметр только для матрицы 2Д510АС9/НТ.

Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения Значение
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В 50
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение при Δи ≤ 2 мкс и Q ≥ 10, В 70
Максимально допустимый средний (постоянный) прямой ток, мА:
– при температуре от минус 60 до 50 °С
– при температуре 125 °С

200
100
Максимально допустимый импульсный прямой ток при Δи ≤ 10 мкс без превышения Iпр ср max, мА:
– при температуре от минус 60 до 50 °С
– при температуре 125 °С


1500
500
Ток перегрузки (ударный ток) при Δи ≤ 10 мкс и Q ≥ 50, А 2
Температура p-n перехода, °С 150



Технические требования

Максимальная температура диодов при эксплуатации не более 125 °С, минимальная температура при эксплуатации минус 60 °С.

Допускаются изменения температуры среды от минус 60 до плюс 125 °С.

Гамма-процентная наработка диодов до отказа при Δ = 98,5% в режиме эксплуатации (при температуре p-n перехода 150 °С) не менее 160000 ч в пределах срока службы 25 лет.

Чертежи и схемы