История

В январе 1964 г. приказом № 2 Президиума Госкомитета по электронной технике СССР в городе Томске был открыт научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов.

Предпосылками создания НИИПП именно в Томске явились существовавшая школа специалистов по материаловедению на кафедрах Томского государственного университета и в лабораториях Сибирского физико-технического института, новые оригинальные результаты научно-исследовательских работ по выращиванию и изучению свойств полупроводниковых материалов типа А3В5, полученные под руководством профессора ТГУ В.А. Преснова, наличие в городе высокопрофессиональных кадров и возможности подготовки новых молодых специалистов-физиков полупроводниковой электроники. Директором института и его научным руководителем был назначен Виктор Алексеевич Преснов. Именно с его непосредственным участием связано зарождение и развитие на предприятии всех научных и приборных направлений. Перед НИИПП были поставлены задачи разработки технологии выращивания арсенида галлия, изучения его свойств и создания новых классов приборов на его основе. 

В НИИПП были разработаны процессы получения эпитаксиальных структур широкой номенклатуры для СВЧ изделий (диодов Ганна, смесительных, умножительных, детекторных, импульсных диодов и др.), оптоэлектронных диодов ИК диапазона, интегральных схем. Большинство изделий, которые выпускались и выпускаются сегодня на заводе НИИПП, обеспечивались эпитаксиальными структурами, созданными в отделе материаловедения.

Прекрасно понимая, что комплексное развитие нового направления в отечественной электронике возможно только при наличии замкнутого цикла: исследование – разработка – выпуск разработанных изделий, -Виктор Алексеевич сумел убедить в этом Министерство электронной промышленности. И уже в 1967 году при НИИПП был создан опытный, а позднее серийный завод по выпуску полупроводниковых приборов, разрабатываемых в подразделениях института. 

Главными направлениями разработок были: 

  • изделия СВЧ электроники, (смесительные, детекторные, настроечные диоды с барьером Шоттки мм диапазона и монолитные интегральные схемы);  
  • приборы на эффекте Ганна;  
  • светодиоды и оптоэлектронные приборы.