Научно-исследовательский
институт полупроводниковых
приборов

Диоды СВЧ генераторные Ганна импульсные

Диоды полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах сантиметрового диапазона длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).

Общие сведения о диодах

Тип диода	Тип корпуса	Масса, г, не более	Полярность
3А750А – Л, К1	КД-109	0,15	+
3А762А – Л	КД-10	0,15	+

Тип диода	Δf	P_вых	I_р	U_р
3А750А	8,24 — 8,5	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Б	8,5 — 8,9	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750В	8,9 — 9,3	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Г	9,3 — 9,7	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Д	9,7 — 10,1	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Е	10,1 — 10,5	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750Ж	10,5 — 10,9	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750И	10,9 — 11,3	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750К	11,3 — 11,7	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750Л	11,7 — 12,05	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750К1	11,3 — 11,7	8000	14000	25	15	30 — 50
3А762А	8,24 — 8,5	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Б	8,5 — 8,9	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762В	8,9 — 9,3	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Г	9,3 — 9,7	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Д	9,7 — 10,1	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Е<	10,1 — 10,5	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762Ж	10,5 — 10,9	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762И	10,9 — 11,3	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762К	11,3 — 11,7	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762Л	11,7 — 12,05	25000	30000	25	15	60 — 100

Тип диода Тип корпуса Масса, г, не более Полярность

3А750А – Л, К1 КД-109 0,15 +

3А762А – Л КД-10 0,15 +

« + » — анодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода

Электрические параметры и характеристики
при Т = (25 ± 10) °С

Условные обозначения:

Δf рабочий диапазон частот, ГГц

P_вых выходная непрерывная мощность в рабочем диапазоне частот, мВт

I_р импульсный рабочий ток, А

U_р импульсное рабочее напряжение, В

Тип диода Δf P_вых I_р U_р

мин тип макс тип

3А750А 8,24 — 8,5 10000 15000 25 15 35 — 55

3А750Б 8,5 — 8,9 10000 15000 25 15 35 — 55

3А750В 8,9 — 9,3 10000 15000 25 15 35 — 55

3А750Г 9,3 — 9,7 10000 15000 25 15 35 — 55

3А750Д 9,7 — 10,1 10000 15000 25 15 35 — 55

3А750Е 10,1 — 10,5 10000 15000 25 15 30 — 50

3А750Ж 10,5 — 10,9 10000 15000 25 15 30 — 50

3А750И 10,9 — 11,3 10000 15000 25 15 30 — 50

3А750К 11,3 — 11,7 10000 15000 25 15 30 — 50

3А750Л 11,7 — 12,05 10000 15000 25 15 30 — 50

3А750К1 11,3 — 11,7 8000 14000 25 15 30 — 50

3А762А 8,24 — 8,5 25000 30000 25 15 60 — 120

3А762Б 8,5 — 8,9 25000 30000 25 15 60 — 120

3А762В 8,9 — 9,3 25000 30000 25 15 60 — 120

3А762Г 9,3 — 9,7 25000 30000 25 15 60 — 120

3А762Д 9,7 — 10,1 25000 30000 25 15 60 — 120

3А762Е< 10,1 — 10,5 25000 30000 25 15 60 — 100

3А762Ж 10,5 — 10,9 25000 30000 25 15 60 — 100

3А762И 10,9 — 11,3 25000 30000 25 15 60 — 100

3А762К 11,3 — 11,7 25000 30000 25 15 60 — 100

3А762Л 11,7 — 12,05 25000 30000 25 15 60 — 100

Технические требования

Максимальная температура корпуса диода при эксплуатации 85 °С. Допускается изменение температуры среды от минус 60 до плюс 85 °С.

Δf	рабочий диапазон частот, ГГц
P_вых	выходная непрерывная мощность в рабочем диапазоне частот, мВт
I_р	импульсный рабочий ток, А
U_р	импульсное рабочее напряжение, В

Тип диода	Δf	P_вых		I_р		U_р
Тип диода	Δf	мин	тип	макс	тип	U_р
3А750А	8,24 — 8,5	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Б	8,5 — 8,9	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750В	8,9 — 9,3	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Г	9,3 — 9,7	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Д	9,7 — 10,1	10000	15000	25	15	35 — 55
3А750Е	10,1 — 10,5	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750Ж	10,5 — 10,9	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750И	10,9 — 11,3	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750К	11,3 — 11,7	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750Л	11,7 — 12,05	10000	15000	25	15	30 — 50
3А750К1	11,3 — 11,7	8000	14000	25	15	30 — 50
3А762А	8,24 — 8,5	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Б	8,5 — 8,9	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762В	8,9 — 9,3	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Г	9,3 — 9,7	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Д	9,7 — 10,1	25000	30000	25	15	60 — 120
3А762Е<	10,1 — 10,5	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762Ж	10,5 — 10,9	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762И	10,9 — 11,3	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762К	11,3 — 11,7	25000	30000	25	15	60 — 100
3А762Л	11,7 — 12,05	25000	30000	25	15	60 — 100

Диоды СВЧ генераторные Ганна импульсные

Общие сведения о диодах

Электрические параметры и характеристики при Т = (25 ± 10) °С

Технические требования

Чертежи и схемы

Электрические параметры и характеристики
при Т = (25 ± 10) °С