Услуги технологического комплекса интегральных схем (ТКИС)

Формирование омических контактов к эпитаксиальным структурам GaAs/AlGaAs Ø 2, 3, 4”, n-type GaN/Al(In)GaN Ø 2, 3, 4”, p-type GaN/Al(In)GaN Ø 2, 3, 4”, к n – и p - type Si Ø 2, 3, 4”

В составе:

  • Изготовление фоторезистивных масок методами контактной и бесконтактной литографии (электронная литография)
  • Химическая и плазменная обработка поверхности структуры перед формированием омического контакта
  • Напыление композиции металлов электронно-лучевым методом (холодная подложка)
  • Удаление резиста (технология Lift-off)
  • Вплавление контактной металлизации с помощью метода быстрого термического отжига (RTA) в контролируемой газовой среде
  • Контроль ВАХ контактов и расчет удельного контактного сопротивления (при условии наличия тестов)

Формирование барьеров Шоттки к эпитаксиальным структурам GaAs/AlGaAs (затворы p-HEMT, барьерные контакты диодов Шоттки) Ø 2, 3, 4”, n-Si Ø 2, 3, 4”

В составе блока:

  • Изготовление фоторезистивных масок контактным и бесконтактным (затворы HEMT от 300 нм) методами
  • Химическая и плазменная обработка поверхности структуры перед формированием омического контакта
  • Напыление композиции металлов термическим или электронно-лучевым методом (холодная подложка)
  • Удаление резиста (технология Lift-off). Травление контактной металлизации по маске фоторезиста
  • Термическая обработка контакта методами быстрой или длительной термической обработки
  • Контроль ВАХ

Напыление тонких металлических пленок

  • Термическое напыление пленок металлов толщиной до 0.5 мкм: Ti, Ni, Au, V
  • Электронно-лучевое напыление пленок металлов толщиной до 0.5 мкм: Au, Ag, Al, Ni, Mo, Pt, Ti, V
  • Магнетронное напыление пленок металлов толщиной до 0.5 мкм: V, Ni, Cr, Ti, Ta, Au

Напыление резистивных сплавов

  • Магнетронное напыление сплавов: NiCr, WSi, РС1710, РС3710

Напыление просветляющих проводящих пленок ITO (In2O3)0,9 - (SnO2)0,1)

  • Магнетронное напыление тонких проводящих прозрачных пленок ITO c удельным сопротивлением 10-3 – 10-4 Ом∙см

Металлизация отверстий глубиной до 100 мкм

  • Магнетронное напыление металлизации в отверстия глубиной до 100 мкм
  • Электрохимическое осаждение Au

Получение термического окисла на подложках Si Ø 2, 3 в диффузионных печах

  • Получение пленок SiO2 методом термического окисления Si. Толщина окисла до 1 мкм

Проектирование и изготовление фотошаблонов

  • Изготовление комплекта фотошаблонов по спецификации Заказчика:
    a) для контактной фотолитографии
    б) для проекционной фотолитографии (степпер) (1:1/1:5/1:10)
  • Прямые прорисовки топологии на подложках заказчика метолом электронной или фотолитографии
  • Проектирование топологии по чертежам заказчика для электронной или фотолитографии
  • Чистка поверхности стекла и керамики от металлов
  • Cоздание структур пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики на основе комплекса литографических методов, включающих электронную, проекционную и контактную литографию

Разделение на кристаллы

  • Ориентированное надрезание и сквозное разделение пластин арсенида галлия, кремния, нитрида алюминия, поликора Ø 2, 3, 4” при толщине 500 мкм при размере чипа не менее 0,5 мм

Изготовление печатных плат на поликоре и нитриде алюминия по чертежам заказчика.

Изготовление сувенирной продукции (медали, значки и т. д.) на керемической и металлической основе с разноцветным покрытием, в том числе и напыление драгсодержащих металлов ( золото, серебро, платина, паладий) по эскизам заказчика.

Научно-образовательные услуги: экспериментальная поддержка курсовых работ, дипломных проектов, кандидатских и докторских диссертаций.

Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением методов сканирующей электронной микроскопии и профилометрии.

Контакты: Начальник комплекса ТКИС Филимонова Ирина Дмитриевна тел. +7 (3822) 288-494, e-mail: filimonova_id@niipp.ru