Диоды излучающие серии 3Л148Б9
Гетероэпитаксиальные мощные излучающие диоды на основе твердых растворов арсенида галлия – арсенида алюминия. Диоды изготовлены в металлопластмассовом корпусе монолитной конструкции, с применением мезапланарной технологии и предназначены для работы в качестве мощного источника ИК излучения с длиной волны 890-920 нм.
Наведите курсор на фото для увеличенияОбласти применения
- оптическая связь с открытым каналом
- приборы ночного видения с активной подсветкой
- имитация целей и подавление систем ночного видения
- подсветка видеосъемки
- ИК дальнометрия
- охранные системы больших периметров
- координатные измерители длинномерных изделий и т. д.
Электрические параметры и характеристики
при(Т = 25 ± 10) оС
| Наименование параметра, режим и условия измерения | Условн. обозн. | Значение параметра |
|---|---|---|
| Сила излучения максимальная (Iпр = 0,35 А), мВт/ср | Iе max | ≥ 15 |
| Постоянное прямое напряжение (Iпр = 0,35 А), В | Uпр | ≤ 1,5 |
| Длина волны максимума излучения ,нм | λmax | 905 ± 15 |
|
Угол излучения, градус | 2θ0,5 | ≥ 115 |
Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации
| Наименование параметра, режим измерения, единицы измерения | Условн. обозн. | Значение параметра |
|---|---|---|
| Максимально допустимый постоянный прямой ток в интервале
температур от минус 60 до +85 °С, А | I пр max | 0,35 |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение (Iобр ≤ 50 мкА, Токр = 25 °С), В | Uобр max | 2,5 |
Примечание: Допустимое значение статического потенциала 500 В
Ширина относительного спектрального распределения энергетической светимости по уровню 0,5 от максимального значения не более 60 нм.
Диапазон рабочих температур от минус 60 °С до +85 °С.
Минимальная наработка диодов в режиме Iпр = 0,35 А при температуре окружающей среды Токр = (25±10) °С в режиме Iпр = 0,08 А при температуре окружающей среды Токр = (83±3) °С — 25 000 ч.
Гамма-процентный срок сохраняемости диодов при γ = 95% не менее 25 лет.
Тепловое сопротивление переход- корпус 10 °С/Вт.
Значение резонансной частоты диода – не менее 22 кГц.
Масса диода не более 1 г.
При измерениях электрических параметров диодов рекомендуется использовать медный теплоотвод. Площадь поверхности теплоотвода должна быть не менее 8 см2 на 1 Вт мощности, потребляемой диодом.
Монтаж диодов
Диоды предназначены для поверхностного монтажа для автоматической сборки аппаратуры. Пайку диодов проводить паяльными пастами. Перепайка выводов не допускается. Рекомендуемый профиль паяльного процесса паяльными пастами, для пайки диодов при монтаже в изделие, приведен на рисунке.
Чертежи и схемы
